細(xì)胞損傷儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細(xì)胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué)，藥物干預(yù)等方面的研究。

細(xì)胞損傷控制儀設(shè)計的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細(xì)胞損傷控制儀把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室，以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷，損傷的嚴(yán)重程度是通過控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量來實現(xiàn)。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數(shù)值可以用來精確地表明引起牽張性細(xì)胞損傷的氣壓值。

細(xì)胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細(xì)胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

根據(jù)所采用的細(xì)胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況，受損后的細(xì)胞或許會因為上述因素死亡或修復(fù)，所以VCU的細(xì)胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究：細(xì)胞受損、修護，死亡，藥物介入。

主要技術(shù)參數(shù)：

采用電子式控制，適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品的制作

適合細(xì)胞受損、修護，死亡，藥物介入等方面研究

使用Flexcell Int’l corp組織培養(yǎng)系統(tǒng)

帶獨立的細(xì)胞培養(yǎng)室，通過控制輸入的氣體量實現(xiàn)細(xì)胞損傷

膜伸展程度：120%-155%

膜變形范圍：5.5mm-7.5mm

傷等效峰值壓力范圍：8.2-11.5PSI

培養(yǎng)室的峰值壓力可被實時被記錄下來

可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。

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